半導(dǎo)體封裝技術(shù)經(jīng)過多年發(fā)展，已形成復(fù)雜的細(xì)分市場和多樣化技術(shù)體系。根據(jù)材料、工藝和應(yīng)用場景的不同，可將其分為以下幾大類別，并重點解析主流技術(shù)：

一、按封裝工藝結(jié)構(gòu)分類

1. 引線框架封裝

• 主流技術(shù)：DIP（雙列直插式）、SOP（小外形封裝）、QFP（四邊扁平封裝）

• 特點：采用金屬引線框架作為基板，成本低但布線密度受限。例如SOP封裝多用于MOSFET等功率器件，QFP適合高引腳數(shù)邏輯芯片。

2. 基板封裝

• 主流技術(shù)：BGA（球柵陣列）、LGA（平面網(wǎng)格陣列）

• 特點：使用多層布線基板，支持高密度I/O（1000+引腳）和高頻信號傳輸。BGA通過底部焊球連接，占據(jù)消費電子和服務(wù)器芯片的主流地位。

3. 晶圓級封裝（WLCSP）

• 技術(shù)分支：扇入型（Fan-In）和扇出型（Fan-Out）

• 特點：直接在晶圓上完成封裝，尺寸接近裸片，適用于移動設(shè)備傳感器和射頻芯片。扇出型可突破芯片尺寸限制，實現(xiàn)異構(gòu)集成。

二、按技術(shù)代際分類

1. 傳統(tǒng)封裝

• 代表技術(shù)：DIP、SOP、QFP

• 應(yīng)用：占全球封裝產(chǎn)能的60%以上，主要用于中低端消費電子和分立器件。

2. 先進(jìn)封裝

• 倒裝芯片（FC）：通過凸點（Bump）直接連接芯片與基板，提升散熱和電性能，應(yīng)用于CPU、GPU等高性能芯片。

• 2.5D/3D封裝：采用硅通孔（TSV）和中介層技術(shù)實現(xiàn)芯片堆疊，如HBM顯存和AI加速芯片，帶寬提升5-10倍。

• 系統(tǒng)級封裝（SiP）：集成多個芯片于單一封裝，用于TWS耳機和可穿戴設(shè)備，縮短布線距離30%以上。

• 核心工藝：

三、按材料體系分類

1. 塑料封裝（占比90%）

• 材料：環(huán)氧模塑料（EMC）

• 優(yōu)勢：成本低（$0.01?$0.01?0.1/unit），適用于消費類芯片。

2. 陶瓷封裝

• 技術(shù)：LTCC（低溫共燒陶瓷）、HTCC（高溫共燒陶瓷）

• 應(yīng)用：航空航天和汽車電子領(lǐng)域，耐溫范圍-55℃~200℃。

3. 金屬封裝

• 結(jié)構(gòu)：TO系列（如TO-220）

• 場景：大功率器件散熱，熱阻低于1℃/W。

四、主流封裝技術(shù)性能對比

五、技術(shù)發(fā)展趨勢

1. 異質(zhì)集成：通過RDL（再布線層）和混合鍵合實現(xiàn)不同工藝節(jié)點的芯片集成，提升系統(tǒng)能效。

2. Chiplet技術(shù)：將大芯片拆分為模塊化小芯片，采用先進(jìn)封裝重組，良率提升20%-30%。

3. 環(huán)保材料：無鉛焊料和生物降解塑料占比預(yù)計2025年達(dá)35%，降低碳足跡。

當(dāng)前市場份額顯示，F(xiàn)C和BGA占先進(jìn)封裝產(chǎn)值的65%以上，而WLCSP在移動設(shè)備滲透率超80%。隨著AI和5G需求爆發(fā)，2.5D/3D封裝年復(fù)合增長率達(dá)24%，成為技術(shù)競爭焦點。