晶圓清洗工藝之RCA清洗

晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或襯底的情況下去除化學和顆粒雜質(zhì)（下圖）。晶圓清洗是為了預擴散清洗，即使其表面不受金屬、顆粒和有機物的污染。金屬離子清洗，即去除對半導體器件運行有不利影響的金屬離子；顆粒清洗指的是使用化學或機械擦洗去除表面的顆粒，使用兆速清洗和蝕刻后清洗去除蝕刻過程后留下的光阻和聚合物。接下來小編針對硅晶圓清洗的不同程序，對RCA清洗給大家做個簡要介紹，希望能對您有所幫助！

晶圓清洗工藝 RCA清洗

RCA清洗是用于去除硅晶圓中有機物、金屬和堿性離子的“標準工藝”。這里使用超聲震蕩來去除顆粒。RCA是美國無線電公司的英文簡稱，供職于此的Kern和Puotinen于1965年發(fā)明了奠定現(xiàn)代半導體清洗工藝的SC1和SC2，就是一號標準清洗液和二號標準清洗液，也有人稱之為APM和HPM。

圖2討論了RCA清洗方法。第一步，硫酸與雙氧水的比例為1:1至4:1。在該溶液中浸泡10分鐘，溫度為120-150℃。該過程被稱為Pirhana清洗，也有人稱之為SPM；之后將晶圓浸入稀釋氫氟酸（DHF）溶液中1分鐘，氫氟酸和水的比例為1:10至1:50；最后在室溫下用去離子水沖洗一定時間。RCA清洗工藝中還包括SC-1和SC-2兩種方法。每一步都要用去離子水沖洗硅晶圓，以達到完美的清洗效果。

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