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Chiplet封裝技術(shù)又為IC封裝基板的增長注入了新的活力與先進(jìn)封裝污染物清洗劑介紹

一、IC封裝基板市場前景十分廣闊

封裝基板是芯片封裝環(huán)節(jié)的核心材料,具有高密度、高精度、高性能、 小型化及薄型化等特點(diǎn),與裸片(die)、引線等經(jīng)過封裝測試后共同組成芯片。

IC封裝基板不僅為芯片提供支撐、散熱和保護(hù)作用,同時(shí)在芯片與PCB之間提供電子連接,起著“承上啟下”的作用,甚至可埋入無源、有源器件以實(shí)現(xiàn)一定系統(tǒng)功能。

從全球IC封裝基板的需求端來看,封裝基板產(chǎn)品主要被應(yīng)用于CPU、GPU和高端服務(wù)器等領(lǐng)域。

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近年來,隨著5G、AI和云計(jì)算等技術(shù)的廣泛應(yīng)用,高算力芯片的需求不斷增加,進(jìn)而推動(dòng)了封裝基板產(chǎn)值的增長。這一趨勢帶動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)對芯片和先進(jìn)封裝需求的顯著增長,從而間接地促進(jìn)了全球封裝基板產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

從市場規(guī)模來看,2022年中國封裝基板市場的規(guī)模達(dá)到了201億元,同比增長1.5%。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測,到2023年,該市場規(guī)模將達(dá)到207億元,增速為3%。同時(shí),中國封裝基板的產(chǎn)量也呈現(xiàn)出逐年上升的趨勢。2022年的產(chǎn)量達(dá)到了138.1萬平方米,同比增長11.73%。預(yù)計(jì)到2023年,產(chǎn)量將達(dá)到151.5萬平方米,增速為9.7%。

從中長期來看,IC封裝基板市場仍有望保持快速增長的態(tài)勢。根據(jù)Prismark的預(yù)測,到2027年,IC封裝基板的市場規(guī)模將達(dá)到222.86億美元,2022-2027年間的年復(fù)合增長率(CAGR)為5.10%。預(yù)計(jì)到2027年,中國市場IC封裝基板行業(yè)的整體規(guī)模將達(dá)到43.87億美元,2022-2027年間的CAGR為4.60%。

近兩年大火的Chiplet封裝技術(shù)又為IC載板的增長注入了新的活力,Chiplet處理器芯片市場規(guī)模的快速增長將帶動(dòng)ABF載板需求量的提升。先進(jìn)封裝技術(shù)推升對ABF載板產(chǎn)能的消耗,導(dǎo)入2.5/3D IC高端技術(shù)的產(chǎn)品,未來有機(jī)會(huì)進(jìn)入量產(chǎn)階段,勢必帶來更大的成長動(dòng)能。

二、Chiplet封裝技術(shù)

Chiplet即小芯片之意,指在晶圓端將原本一顆“大”芯片(Die)拆解成幾個(gè)“小”芯片(Die),因單個(gè)拆解后的“小”芯片在功能上是不完整的,需通過封裝,重新將各個(gè)“小”芯片組合起來,功能上還原原來“大”芯片的功能。Chiplet可以將一顆大芯片拆解設(shè)計(jì)成幾顆與之有相同制程的小芯片,也可以將其拆解成設(shè)計(jì)成幾顆擁有不同制程的小芯片。


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Chiplet可以提升芯片制造的良率。對于晶圓制造工藝而言,芯片面積(Die size)越大,工藝的良率越低。可以理解為,每片wafer上都有一定概率的失效點(diǎn),對于晶圓工藝來說,在同等技術(shù)條件下難以降低失效點(diǎn)的數(shù)量,如果被制造的芯片,其面積較大,那么失效點(diǎn)落在單個(gè)芯片上的概率就越大,因而良率就越低。如果Chiplet的手段,將大芯片拆解分割成幾顆小芯片,單個(gè)芯片面積變小,失效點(diǎn)落在單個(gè)小芯片上的概率將大大降低。芯片面積Die size與良率成反比。

三、Chiplet概念進(jìn)一步推動(dòng)2.5D/3D先進(jìn)封裝發(fā)展

根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),2021年到2027年先進(jìn)封裝占比不斷攀升,而其中,2.5D/3D先進(jìn)封裝市場收入規(guī)模年復(fù)合增長率高達(dá)14%,在先進(jìn)封裝多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域中位列第一,這和Chiplet概念有著密切關(guān)系。

目前Chiplet概念愈發(fā)火熱,Chiplet的核心是實(shí)現(xiàn)芯片間的高速互聯(lián),同時(shí)兼顧多芯片互聯(lián)后的重新布線。先進(jìn)封裝技術(shù)和Chiplet發(fā)展密不可分,先進(jìn)封裝技術(shù)目前主要由臺(tái)積電、日月光、Intel等產(chǎn)業(yè)龍頭公司來主導(dǎo),包含從2D MCM(Multi-Chip Module)到2.5D CoWoS、EMIB和3D Hybrid Bonding,這些先進(jìn)封裝技術(shù)均為Chiplet的關(guān)鍵封裝技術(shù)。
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在UCle聯(lián)盟發(fā)布的Chiplet白皮書中,現(xiàn)階段主流的Chiplet封裝方式就提到了Intel的EMIB方案(硅橋連接)、臺(tái)積電的CoWoS方案(硅中介層連接)以及日月光的FOCoS-B方案(扇出型中介層)。

臺(tái)積電的2.5D封裝CoWoS目前非?;?,英偉達(dá)的多款GPU就是基于此先進(jìn)封裝,目前CoWoS產(chǎn)能仍然吃緊,而且臺(tái)積電也在穩(wěn)步推進(jìn)3D封裝技術(shù)。英特爾也在Foveros、Foveros Omni、Foveros Direct下一代3D先進(jìn)封裝上不斷推進(jìn)。

傳統(tǒng)的封測廠也都有自己的先進(jìn)封裝發(fā)展布局,尤其是在2.5D和3D上,如日月光的FORB封裝技術(shù)、長電科技的XDFOI封裝技術(shù)、安靠的SLIM封裝技術(shù)等等。

基于RDL、Bumping、TSV 等多項(xiàng)核心基礎(chǔ)工藝技術(shù)的先進(jìn)封裝技術(shù)已經(jīng)成為高端芯片不可或缺的重要環(huán)節(jié)。

四、Chiplet先進(jìn)封裝污染物清洗劑介紹

芯片級(jí)封裝在nm級(jí)間距進(jìn)行焊接,助焊劑作用后留下的活性劑等吸濕性物質(zhì),較小的層間距如存有少量的吸濕性活性劑足以占據(jù)相對較大的芯片空間,影響芯片可靠性。要將有限的空間里將殘留物帶離清除,清洗劑需要具備較低的表面張力滲入層間芯片,達(dá)到將殘留帶離的目的。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學(xué)遷移,形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等,這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物,到底哪些才是最備受關(guān)注的呢?助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo),從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大,嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效,因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗,才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技是一家電子水基清洗劑 環(huán)保清洗劑生產(chǎn)廠家,其產(chǎn)品覆蓋先進(jìn)封裝清洗劑、半導(dǎo)體清洗、芯片清洗、PCBA電路板清洗劑、助焊劑清洗劑等電子加工過程整個(gè)領(lǐng)域。合明科技先進(jìn)封裝清洗劑產(chǎn)品包含晶圓級(jí)封裝清洗劑、SIP系統(tǒng)級(jí)封裝清洗劑、倒裝芯片清洗劑、POP堆疊芯片清洗劑等。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。



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