IGBT模塊器件介紹（IGBT模塊優(yōu)點）
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（Giant Transistor，GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR 飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET 驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
IGBT 綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為 600V 及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT 是能源變換與傳輸的核心器件，俗稱電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。 IGBT 模塊是由 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與 FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝后的 IGBT 模塊直接應用于變頻器、UPS 不間斷電源等設備上。
IGBT 模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的 IGBT 也指 IGBT 模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見。
半導體行業(yè)的技術發(fā)展方向可歸納為更高的功率密度、開關頻率，以及更小的導通壓降、開關損耗、芯片尺寸、模塊體積。據比亞迪半導體官方發(fā)布，最新推出了 SOT-227 封裝 IGBT / 二極管系列模塊。比亞迪半導體推出的SOT-227封裝IGBT模塊介于單管和模塊之間，M4 螺絲法藍底板安裝 4 個引出端口，屬于內絕緣封裝的一種，常用來封裝 IGBT、各類二極管、MOSFET 等。
該產品為比亞迪自主 IGBT 芯片，采用標準封裝，兼容市場主流尺寸。優(yōu)化 DBC 布局設計，降低采樣信號干擾。封裝體積小，安裝方便?？筛鶕蛻粜枨笞杂纱钆渫負潆娐贰妙I域包括 UPS 電源，變頻、伺服，光伏儲能等。
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