IGBT的定義:IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是具有高電流、高電壓、高效率的半導體電源控制元件，也是一種電···
IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為···
在電力電子設計中，開發(fā)人員不斷尋找傳統(tǒng)功率 MOSFET 的新替代品。在這一追求中，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵···
中國汽車IGBT市場情況隨著國內新能源汽車產業(yè)的快速發(fā)展，產業(yè)鏈上游大有逐步完成國產替代，甚至引領世···
目前殼封工藝的模塊基本結構都相差不大。IGBT模塊封裝的流程大致如下：貼片→真空回流焊接→超聲波清洗···
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型···
IGBT(Insulated GateBipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由（Bipolar Junction Transistor，B···
IGBT功率器件行業(yè)技術門檻與競爭格局IGBT功率器件主要玩家為英飛凌、富士電機、安森美等歐美日大廠，集···
