蘋果試產(chǎn) 3D 堆疊技術(shù)， SoIC未來半導體7月31日消息，臺媒 MoneyDJ 援引業(yè)界消息稱，繼 AMD 后，蘋果正小量試產(chǎn)最新的 3D 堆疊技術(shù) SoIC（系統(tǒng)整合芯片），目前規(guī)劃采用 SoIC 搭配 InFO 的封裝方案，預計用在 MacBook，最快 2025~2026 年間有機會看到終端產(chǎn)品問世。

臺積電 SoIC 是業(yè)界第一個高密度 3D 堆疊技術(shù)，通過 Chip on Wafer（CoW）封裝技術(shù)，可以將不同尺寸、功能、節(jié)點的晶粒進行異質(zhì)整合，并于竹南六廠（AP6）進入量產(chǎn)。其中，AMD 是首發(fā)客戶，其最新的 MI300 即以 SoIC 搭配 CoWoS。

業(yè)界人士表示，不同于 AMD，蘋果規(guī)劃采用 SoIC 搭配 InFO 的解決方案，主要是基于產(chǎn)品設計、定位、成本等綜合考量。若未來 SoIC 順利導入大宗消費性電子產(chǎn)品，有望創(chuàng)造更多需求及量能，并大幅提升其他大客戶的導入意愿。目前 SoIC 技術(shù)還剛起步，月產(chǎn)能近 2000 片，預期未來幾年將持續(xù)翻倍成長。

先進芯片封裝清洗：

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質(zhì)量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。