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晶圓級封裝的工藝流程及晶圓級封裝清洗劑介紹

晶圓級封裝的工藝流程及晶圓級封裝清洗劑介紹

什么是晶圓級封裝:

晶圓級封裝簡稱WLP,一種在晶圓級別進行封裝的技術(shù)。與傳統(tǒng)的芯片封裝方式相比,WLP技術(shù)具有更高的集成度、更小的封裝尺寸和更低的成本。通過在晶圓上進行封裝操作,將多個芯片或器件集成在一個封裝體內(nèi),從而實現(xiàn)更高的性能和更小的體積。

晶圓表面污染物.png

晶圓級封裝的工藝流程:

晶圓級封裝的工藝流程是一個復雜且精細的過程,旨在將芯片從硅晶圓中切割、封裝成具有引腳和保護外殼的可使用組件。切割晶圓并清洗和檢查后的具體步驟如下:

1、涂覆第一層:通過涂覆聚合物薄膜以加強芯片的鈍化層,起到應(yīng)力緩沖的作用。聚合物種類有光敏聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烯(BCB)、聚苯并惡唑(PBO)。

2、重布線層:在芯片和載體之間建立電氣連接,通過焊線鍵合或其他先進的封裝技術(shù)來實現(xiàn)。在扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)中,通過濺射工藝在晶圓表面制備金屬膜,利用光刻和電鍍工藝形成金屬引線。對芯片的鋁/銅焊區(qū)位置重新布局,使新焊區(qū)滿足對焊料球最小間距的要求。光刻膠作為選擇性電鍍的模板以規(guī)劃RDL的線路圖形,最后濕法蝕刻去除光刻膠和濺射層。

3、涂覆第二層:涂覆聚合物薄膜,使得圓片表面平坦化并保護重布線層,并在第二層聚合物薄膜光刻出新焊區(qū)位置。

4、凸點下金屬層:采用和重布線層一樣的工藝流程制作。

5、植球:通過精確利用掩膜板進行定位,焊膏和焊料球被準確地放置在UBM(底層金屬化)上。隨后,這些元件被送回流爐中,焊料在回流過程中融化,并與UBM形成優(yōu)質(zhì)的浸潤性結(jié)合,從而確保了出色的焊接質(zhì)量。

晶圓級封裝的工藝流程.png

晶圓級封裝清洗劑W3805介紹

晶圓級封裝清洗劑W3805針對焊后殘留開發(fā)的具有創(chuàng)新型的無磷無氮 PH中性配方的濃縮型水基清洗劑。適用于SiP系統(tǒng)封裝清洗及清洗不同類型的電子組裝件上的焊劑、錫膏殘留。由于其PH中性,對敏感金屬和聚合物材料有極佳的材料兼容性。

晶圓級封裝清洗劑W3805的產(chǎn)品特點:

1、本品無磷、無氮、清洗能力好。

2、不燃不爆,使用安全,對環(huán)境友好。

3、材料安全環(huán)保,創(chuàng)造安全環(huán)保的作業(yè)環(huán)境,保障員工身心健康。

4、可極大提高工作效率,降低生產(chǎn)成本。

晶圓級封裝清洗劑W3805的適用工藝:

無磷無氮水基清洗劑W3805適用于噴淋清洗工藝。

晶圓級封裝清洗劑W3805產(chǎn)品應(yīng)用:

W3805是創(chuàng)新型濃縮型水基清洗劑,清洗時可根據(jù)殘留物的清洗難易程度,用去離子水稀釋后再進行使用。

適用于SiP系統(tǒng)封裝清洗及清洗不同類型的電子組裝件上的焊劑、錫膏殘留。由于其 PH 中性,對敏感金屬和聚合物材料有極佳的材料兼容性。


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