因為專業(yè)
所以領先
工藝節(jié)點與互連標準:UCIe(通用芯片互連標準)等開放行業(yè)標準的成熟,簡化了異構芯片連接,降低設計風險并縮短周期。
設計工具與IP支持:Synopsys的3DIC Compiler等工具支持從可行性探索到黃金簽核的全流程設計,集成AI驅動的系統(tǒng)分析(如3DSO.ai ),優(yōu)化熱/信號/電源完整性。
制造能力提升:臺積電、英特爾等廠商通過CoWoS、EMIB等技術實現(xiàn)高密度互連,2025年CoWoS產(chǎn)能預計翻倍,滿足AI和HPC需求。
華天科技:推出eSinC 2.5D平臺,包含硅轉接板(SiCS)、扇出芯粒(FoCS)和橋聯(lián)芯粒(BiCS)三大技術,對標臺積電CoWoS。
臺積電:3DFabric平臺整合CoWoS、InFO等技術,支持2.5D/3D異構集成,2025年產(chǎn)能持續(xù)擴張。
國產(chǎn)化進展:長電科技、芯原股份等企業(yè)實現(xiàn)4nm Chiplet量產(chǎn),華為等公司專利布局加速。
散熱與良率:3D堆疊的熱管理仍是瓶頸,需優(yōu)化材料與封裝結構。
標準化與生態(tài):需統(tǒng)一互連協(xié)議(如UCIe)和EDA工具鏈,推動Chiplet設計流程標準化。
占比與需求:2025年50%新HPC芯片采用2.5D/3D設計,通過多芯粒集成提升算力密度。
典型案例:AMD的HBM集成GPU、英特爾Foveros 3D封裝CPU,均依賴高帶寬互連技術。
AI芯片需求:ChatGPT等大模型推動CoWoS封裝需求激增,臺積電2025年產(chǎn)能緊張。
HBM應用:2.5D中介層封裝HBM,實現(xiàn)高帶寬內(nèi)存與GPU的協(xié)同,支撐AI訓練與推理。
2.5D技術擴展:2.5D設計進軍5G基礎設施,通過低延遲互連優(yōu)化基站與邊緣計算設備性能。
異構集成需求:車規(guī)級芯片需集成高性能計算、傳感器和存儲,3D封裝支持功能安全與能效優(yōu)化。
小型化與能效:多芯粒集成用于手機AP、AR/VR設備,通過扇出封裝(FoCS)降低成本并提升集成度。
多芯粒2.5D/3D集成技術已成為后摩爾時代的核心驅動力,HPC、AI、汽車電子是當前主要市場,未來將向邊緣計算、物聯(lián)網(wǎng)等領域擴展。技術發(fā)展需突破散熱、良率和標準化瓶頸,而中國企業(yè)通過專利布局和先進封裝平臺(如eSinC)逐步縮小與國際差距。
多芯粒2.5D/3D芯片清洗劑選擇:
· 水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
· 污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣,通電后發(fā)生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。
· 這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據(jù)主導,從產(chǎn)品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產(chǎn)品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發(fā)接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
· 合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。
· 合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術,滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術要求,打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位,為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。
· 推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。