D2W堆疊先進(jìn)封裝技術(shù)工藝市場應(yīng)用詳細(xì)解析

一、技術(shù)原理與工藝流程

D2W（Die-to-Wafer）堆疊技術(shù)是3D先進(jìn)封裝的核心工藝之一，通過混合鍵合（Hybrid Bonding）實(shí)現(xiàn)芯片與晶圓的垂直堆疊，其技術(shù)特點(diǎn)如下：

1. 無凸塊互連：直接利用銅-銅（Cu-Cu）鍵合替代傳統(tǒng)焊料凸塊，消除寄生電容和電阻，實(shí)現(xiàn)超細(xì)間距（<10μm）和超高密度互連。

2. 工藝流程：

• 晶圓預(yù)處理：對晶圓表面進(jìn)行拋光、活化處理，形成SiO?/SiCN介電層和銅焊盤。

• 芯片切割與轉(zhuǎn)移：將已完成前端工藝的芯片切割并轉(zhuǎn)移至載體晶圓。

• 對準(zhǔn)與鍵合：通過高精度對準(zhǔn)系統(tǒng)（如光學(xué)對準(zhǔn)）將芯片與目標(biāo)晶圓鍵合，利用范德華力和熱處理形成共價(jià)鍵。

• 后道處理：完成RDL（再分布層）、TSV（硅通孔）等工藝，實(shí)現(xiàn)電氣互聯(lián)。

二、市場應(yīng)用領(lǐng)域

D2W技術(shù)憑借其高帶寬、低延遲和高集成度優(yōu)勢，在多個(gè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破性應(yīng)用：

1. 高性能計(jì)算（HPC）：

• 處理器集成：AMD的MI300加速卡采用臺(tái)積電SoIC技術(shù)，通過D2W堆疊實(shí)現(xiàn)CPU+GPU+HBM的異構(gòu)集成，提升算力密度。

• 存儲(chǔ)擴(kuò)展：三星X-Cube技術(shù)將4顆SRAM堆疊在邏輯芯片上，通過TSV實(shí)現(xiàn)3D存儲(chǔ)擴(kuò)展，滿足AI訓(xùn)練需求。

2. 移動(dòng)與消費(fèi)電子：

• 圖像傳感器：索尼（Sony）和豪威（OmniVision）使用W2W混合鍵合生產(chǎn)CMOS圖像傳感器（CIS），但受限于I/O密度，主要面向中低端市場。

• SoC封裝：臺(tái)積電InFO技術(shù)結(jié)合D2W工藝，應(yīng)用于蘋果A系列處理器，實(shí)現(xiàn)薄型化和高集成度。

3. 汽車與工業(yè)電子：

• 傳感器融合：通過D2W堆疊實(shí)現(xiàn)多傳感器（如雷達(dá)、激光雷達(dá)）與MCU的集成，提升自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性。

三、競爭格局與產(chǎn)業(yè)鏈

1. 國際廠商主導(dǎo)：

• 臺(tái)積電：SoIC技術(shù)覆蓋WOW（晶圓堆疊）和COW（芯片堆疊），2023年月產(chǎn)能達(dá)2000片，目標(biāo)2025年實(shí)現(xiàn)10μm以下凸點(diǎn)間距。

• 三星：X-Cube技術(shù)聚焦3D存儲(chǔ)堆疊，2024年計(jì)劃量產(chǎn)5nm節(jié)點(diǎn)的3D-SoC。

• 英特爾：Foveros Direct實(shí)現(xiàn)原子級(jí)鍵合，凸點(diǎn)間距縮至10μm，應(yīng)用于Ponte Vecchio GPU。

2. 國內(nèi)廠商布局：

• 長電科技、通富微電等通過收購（如星科金朋）和自主研發(fā)，逐步突破D2W工藝，但良率與國際廠商仍有差距。

四、技術(shù)挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢

1. 核心挑戰(zhàn)：

• 工藝復(fù)雜度：D2W需晶圓廠級(jí)潔凈環(huán)境（Class 1），顆?？刂疲?lt;1μm）和對準(zhǔn)精度（<50nm）要求極高。

• 成本壓力：設(shè)備投資（如深硅刻蝕機(jī)、鍵合機(jī)）高昂，單片成本是傳統(tǒng)封裝的3-5倍。

2. 未來趨勢：

• 異構(gòu)集成深化：結(jié)合Chiplet設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)邏輯、存儲(chǔ)、射頻等異質(zhì)芯片的混合鍵合。

• 本土化替代加速：國內(nèi)政策支持（如“十四五”集成電路規(guī)劃）推動(dòng)設(shè)備（中微公司、北方華創(chuàng)）和材料（方邦股份）國產(chǎn)化。

五、總結(jié)

D2W堆疊技術(shù)作為3D先進(jìn)封裝的前沿方向，正在重塑半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。其市場應(yīng)用從HPC向消費(fèi)電子、汽車等領(lǐng)域擴(kuò)展，但技術(shù)門檻和成本仍是規(guī)?；慨a(chǎn)的瓶頸。未來，隨著混合鍵合工藝的成熟和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新，D2W有望成為Chiplet生態(tài)的核心支撐技術(shù)。

堆疊芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。